平成30年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問10

• ア: バイト単位で書込み，ページ単位で読出しを行う。
  誤り。NAND型フラッシュメモリの書込みはバイト単位ではなくページ単位で行います。

• イ: バイト単位で書込み及び読出しを行う。
  誤り。バイト単位でのランダムな読み書きができるのは NOR型フラッシュメモリやRAMの特徴です。

• ウ: ページ単位で書込み，バイト単位で読出しを行う。
  誤り。NAND型フラッシュメモリの読出しもページ単位で行います。

• エ: ページ単位で書込み及び読出しを行う。
  正しい。NAND型フラッシュメモリは，書込みと読出しをページ単位で行います（消去は複数ページから成るブロック単位）。大容量化に向き，SSDやUSBメモリなどに使われます。

答え

エ: ページ単位で書込み及び読出しを行う。