令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11

• ア: 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
  正しい。ウェアレベリング（Wear Leveling）は、フラッシュメモリの各ブロックの書込み回数を均等に分散させる技術です。これにより、特定のブロックだけが過度に使用されて劣化することを防ぎ、メモリ全体の寿命を延ばします。

• イ: 記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
  誤り。これは マルチレベルセル (MLC) や トリプルレベルセル (TLC) などの技術の説明です。ウェアレベリングとは関係ありません。

• ウ: 不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
  誤り。これは 不良ブロック管理（Bad Block Management）の説明です。ウェアレベリングとは異なります。

• エ: ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。
  誤り。これは フラッシュメモリの特性 に関する説明です。書き込み操作には事前にブロック単位での消去が必要ですが、ウェアレベリングの説明ではありません。

答え

ア: 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。