平成22年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問24

DRAMはコンデンサに電荷を蓄えて記憶するメモリで、1ビットを1個のトランジスタと1個のコンデンサで構成できます。SRAMはフリップフロップ回路で記憶するため、1ビット当たりの素子数が多くなります。

各選択肢の確認

• ア: SRAMよりも高速なアクセスが実現できる 誤り。高速なのはSRAMで、キャッシュメモリに使われます。

• イ: リフレッシュ動作が不要である 誤り。DRAMはコンデンサの電荷が時間とともに失われるため、定期的なリフレッシュ動作が必要です。リフレッシュが不要なのはSRAMです。

• ウ: 内部構成が複雑で，ビット当たりの単価が高くなる 誤り。これはSRAMの特徴です。DRAMは構造が単純で、ビット当たりの単価が安くなります。

• エ: ビット当たりの面積を小さくできるので，高集積化に適している 正しい。DRAMは構造が単純で高集積化しやすく、大容量の主記憶装置に使われます。

答え

エ: ビット当たりの面積を小さくできるので，高集積化に適している。