平成23年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問23
LSIの故障メカニズムの一つであるESD(Electrostatic Discharge)破壊の説明として,適切なものはどれか。
キーボード:1〜4 で解答 → 次の問題 ← 前の問題
正解と解説を見る
解答する前に解説を開いたので、この問題は「見て解いた」として記録します(正解数には入りません)。
正解:ウ
ESD(Electrostatic Discharge)は静電気放電のことです。人体や機器に帯電した静電気がLSIの端子に放電されると,高い電圧によって絶縁膜や素子が破壊されることがあり,これをESD破壊といいます。
-
ア: 機械的な力によって,配線が切断される
誤り。機械的ストレスによる断線の説明で,ESD破壊ではありません。 -
イ: 寄生サイリスタの導通によって,素子が破壊される
誤り。ラッチアップの説明です。 -
ウ: 静電気放電によって,半導体素子が破壊される
正しい。ESD破壊の説明です。 -
エ: 電流が過度に流れることによって,配線が切断される
誤り。エレクトロマイグレーションや過電流による溶断の説明です。
答え
ウ: 静電気放電によって,半導体素子が破壊されてしまう現象
出典:平成23年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問23