平成28年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21

• ア: 高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリに用いられる
  誤り。SRAMの説明です。フラッシュメモリは書換えに時間がかかり，キャッシュメモリには用いられません。

• イ: 紫外線で全内容の消去ができる
  誤り。UV-EPROMの説明です。

• ウ: 周期的にデータの再書込みが必要である
  誤り。リフレッシュ動作が必要なDRAMの説明です。

• エ: ブロック単位で電気的に内容の消去ができる
  正しい。フラッシュメモリは電気的に書換え可能な不揮発性メモリで，データの消去はブロック単位でまとめて行います。

答え

エ: ブロック単位で電気的に内容の消去ができる