平成28年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問21

• ア: 1 バイト単位で消去・書込みが可能な不揮発性メモリ
  誤り。これは EEPROM の説明です。DRAM は電源を切るとデータが消える揮発性メモリです。

• イ: NAND 型又は NOR 型がある不揮発性メモリで SSD に用いられる
  誤り。これはフラッシュメモリの説明です。

• ウ: フリップフロップで構成され，キャッシュメモリに用いられる
  誤り。これは SRAM の説明です。

• エ: リフレッシュ動作が必要で，PC の主記憶に用いられる
  正しい。DRAM はコンデンサに電荷を蓄えて記憶するため，時間とともに電荷が失われます。そのため定期的なリフレッシュ動作が必要です。安価で大容量にしやすいため，PC の主記憶に使われます。

答え

エ: リフレッシュ動作が必要で，PC の主記憶に用いられる