平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問10

• ア: 一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
  誤り。PROM（ワンタイムPROM）の説明です。

• イ: 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
  正しい。相変化メモリ（PCM，PRAM）は，カルコゲナイド系材料が結晶状態（抵抗が低い）と非結晶（アモルファス）状態（抵抗が高い）に変化する性質を利用して情報を記憶する不揮発性メモリです。

• ウ: フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
  誤り。SRAMの説明です。

• エ: リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ
  誤り。コンデンサに電荷を蓄えて記憶するDRAMの説明です。

答え

イ: 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ